品牌：Entegris（美國英特格）
型號：WG3D50DR2
品類：Chambergard? Fast Vent Diffusers（快速通風(fēng)擴(kuò)散器 / 氣體過濾器）
主要材質(zhì)：專利燒結(jié)鎳膜濾芯（Patented, sintered nickel membrane filter）、316L不銹鋼外殼（316L stainless steel）
內(nèi)部表面粗糙度：≤ 32 μin Ra
接口規(guī)格：ISO NW-50（兼容標(biāo)準(zhǔn)ISO隔板夾的隔板安裝）
額定最大工作壓力（O型圈配置）：0.2 MPa (30 psi)
最大承受壓力：0.3 MPa (45 psi)
最高工作溫度：帶O型圈時(shí)為 100°C (212°F)；不帶O型圈時(shí)可達(dá) 400°C (752°F)
進(jìn)口連接方式：兼容 1/4" VCR? 陽性墊片密封接頭
過濾精度：可有效去除氣流中大于 0.0015 μm 的微小顆粒
下游清潔度：在額定流量下，大于 0.01 μm 的顆粒物少于 0.03 個(gè)/升（<1 個(gè)/立方英尺）
組件尺寸：外徑約 67.9 mm (2.67")，主體厚度或隔板配合部分約 59.9 mm (2.35")，墊片或夾持厚度約 2.6 mm (0.10")
重量信息：約 0.65 kg（因全金屬高精密燒結(jié)結(jié)構(gòu)，實(shí)際帶包裝出貨重量約為 0.85 kg）

美國Entegris（英特格）作為全球半導(dǎo)體工藝及先進(jìn)制程中氣體純化與流體控制領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè)，其研發(fā)的Chambergard?系列快速通風(fēng)擴(kuò)散器在行業(yè)中享有盛譽(yù)。型號WG3D50DR2正是該系列中專門針對真空室、晶圓裝載腔（Load Lock）以及特殊氣體控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心控流與高精度過濾元件。半導(dǎo)體制造制程對環(huán)境潔凈度有著近乎嚴(yán)苛的要求，在晶圓腔室進(jìn)行快速充氣或泄壓 Vent 循環(huán)時(shí)，氣流的急速擾動(dòng)極易揚(yáng)起腔體內(nèi)部的微塵顆粒，從而直接導(dǎo)致高價(jià)值晶圓的報(bào)廢，而本款產(chǎn)品正是為了解決這一行業(yè)痛點(diǎn)而生。

從產(chǎn)品性能與核心技術(shù)來看，WG3D50DR2采用了英特格引以為傲的專利燒結(jié)鎳膜（Sintered Nickel）技術(shù)。這種特制的金屬多孔結(jié)構(gòu)不僅具備極高且均勻的孔隙率，能夠提供優(yōu)異的擴(kuò)散流道，將高壓氣流均勻、平緩地導(dǎo)入到腔室中，避免局部產(chǎn)生高速射流，同時(shí)它本身還是一臺超高效率的精密過濾器。根據(jù)官方技術(shù)指標(biāo)，它能夠穩(wěn)定攔截濾除引入氣體中直徑大于0.0015微米（μm）的極細(xì)微顆粒，確保流向晶圓表面的每一股氣流都達(dá)到潔凈標(biāo)準(zhǔn)。在實(shí)際額定流量運(yùn)行下，下游的潔凈度表現(xiàn)可穩(wěn)定控制在每升氣體中大于0.01微米的顆粒物不足0.03個(gè)，從根本上杜絕了二次粒子污染對半導(dǎo)體器件良率的負(fù)面影響。

在材料工藝與硬件參數(shù)層面，WG3D50DR2擴(kuò)散器通體采用高純度316L不銹鋼外殼制造，內(nèi)部表面經(jīng)過精細(xì)拋光處理，表面粗糙度Ra值低于32微英寸，極大降低了氣體介質(zhì)在流經(jīng)表面時(shí)的滯留與吸附風(fēng)險(xiǎn)。該型號在規(guī)格上配置了標(biāo)準(zhǔn)的ISO NW-50法蘭接口，兼容市面上通用的ISO標(biāo)準(zhǔn)隔板夾進(jìn)行快速緊固與密封安裝。進(jìn)氣口則采用了半導(dǎo)體高純管道標(biāo)準(zhǔn)件中極為常用的1/4英寸VCR陽性墊片密封接頭，確保在頻繁的高低溫及壓力循環(huán)交替下依然具備極高的氣密性。壓力控制上，其設(shè)計(jì)額定工作壓力為0.2兆帕（30 psi），最大耐壓可達(dá)0.3兆帕（45 psi）。另外，該組件表現(xiàn)出極寬的溫度適應(yīng)能力，在配置密封O型圈時(shí)可在100攝氏度的常規(guī)環(huán)境下穩(wěn)定作業(yè)，若在無O型圈的特殊高溫工況下，整機(jī)全金屬結(jié)構(gòu)能夠耐受高達(dá)400攝氏度的高溫考驗(yàn)，這使得它不僅能應(yīng)用于常規(guī)的真空裝載腔，更能完美勝任各種高溫CVD（化學(xué)氣相沉積）或ALD（原子層沉積）制程的前端保護(hù)。

在行業(yè)應(yīng)用與選型推薦方面，合理縮短真空腔室的通風(fēng)循環(huán)周期是提高整個(gè)半導(dǎo)體機(jī)臺產(chǎn)出率（Throughput）的關(guān)鍵手段。WG3D50DR2通過將擴(kuò)散流體動(dòng)力學(xué)與大流量過濾完美結(jié)合，允許系統(tǒng)以極快的速度向大氣壓環(huán)境回充氣體，而完全不破壞真空腔內(nèi)的微粒平衡。同類機(jī)型中，如果是小型腔體或空間受限的管路，用戶常配合選擇管徑更小的ISO NW-25或NW-40規(guī)格擴(kuò)散器，例如WG3D25LT2或者WG3D40DR2。而針對大體積的工藝腔體，WG3D50DR2則憑借其更大的擴(kuò)散表面積和NW-50的高通量接口，成為各大晶圓廠和半導(dǎo)體前道設(shè)備制造廠商（OEM）進(jìn)行裝機(jī)升級的理想方案。它能幫助工廠在維持高良率的前提下大幅壓縮非生產(chǎn)性的抽真空與放氣時(shí)間，為企業(yè)帶來顯著的經(jīng)濟(jì)效益。

WG3D16TR2
WG3D16DR2
WG3D25LT2
WG3D25DR2
WG3D25TR2
WG3D401R2
WG3D40DR2
WG3D40TR2
WG3D50TR2
WG3DBGNFR4
WG3DBGNRR4
WG3D228R2
WG3D201R2
WG3D301R2
WG3D100DR2
WG3D100TR2
WG3D63DR2
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WG3D80DR2
WG3D80TR2
WGPM0GGG2
WDPM0CPSF
GPUS300FHX04R00CA
WG2D16TR2
WG2D16DR2
WG2D25LT2
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WG2D40DR2
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WG2D50DR2
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WGV3D16TR2
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WGV3D25LT2
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WGV3D40DR2
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WGV3D50DR2
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WG4D16TR2
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WG4D25LT2
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WG4D40DR2
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WG4D50DR2
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WGN3D16TR2
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WGN3D25LT2
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WGN3D40DR2
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WGN3D50DR2
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WG5D16TR2
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WG5D25LT2
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WG5D40DR2
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WG5D50DR2
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WG1D16TR2
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WG1D25LT2
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WG1D40DR2
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WG1D50DR2
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WG3D16TR1
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WG3D16TR3
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WG3D25LT3
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WG3D16TR4
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WG3D25LT4
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WG3D16TR5
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WG2D16TR1
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WG2D25LT1
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WG2D40DR1
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WGV2D16TR2
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WGV2D25LT2
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WGV2D40DR2
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WGN2D16TR2
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WGN2D40DR2
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WG1D16TR3
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WG1D25LT3
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WG1D40DR3
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WG1D50DR3
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WGV4D16TR2
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WGV4D25LT2
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WGV4D50DR2
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WGN4D40DR2
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WGV5D16TR2
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WGV5D25LT2
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WGV5D50DR2
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WGN5D16TR2
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WGN5D40DR2
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WG3D100DR1
WG3D100TR1
WG3D63DR1
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WG3D80DR1
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WG3D80DR3
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WG3D228R1
WG3D228R3
WG3D201R1
WG3D201R3
WG3D301R1
WG3D301R3
WG3D401R1
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